Intel et Micron annoncent qu’ils sont en mesure de produire de la mémoire Flash NAND gravée en 20nm via leur joint-venture IMFT (IM Flash Technology).
Le nouveau procédé de gravure en 20nm permet de produire des modules de mémoire Flash NAND MLC (Multi-Level Cell) de 8 Go mesurant 118mm², ce qui représente une réduction de taille de 30% à 40% par rapport aux puces équivalentes de 25nm.
Intel souligne que grâce à cette finesse de gravure les constructeurs de petits appareils tels que les Smartphones et Tablettes peuvent profiter de cette espace gagné pour offrir de nouvelles technologies ou une batterie de meilleure capacité par exemple.
En outre, la firme de Santa Clara précise que son précédé de gravure en 20nm offre des performances et une fiabilité similaires à la génération précédente en 25nm.
Des puces de tests en 20nm sont d’ores et déjà distribuées aux partenaires et la production de masse de modules mémoire en 20nm interviendra dans le courant du second semestre 2011.
[Source : Intel et LaptopSpirit]
